高频光电导少数载流子寿命测试仪是按照半导体设备和材料（F28-75）及GB/T1553的要求，采用高频光电导衰减测量方法，适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，硅单晶寿命测量ρ≥2Ω·cm。

规格参数：

测试范围：5-10000μs；

电阻率范围：ρ≥2Ω·cm

参杂硅单晶片（厚度小于1mm），电阻率范围：ρ＞0.1Ω·cm

重复性误差：≤±20%

光脉冲发生装置

重复频率：＞20~30次/s

光脉冲关断时间：0.2-1μs，余辉＜1μs

红外光源波长：1.06-1.09μm（测量硅单晶），红外光在硅单晶内穿透深大于500μm如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源

脉冲电源：5A-20A

高频振荡源

石英谐振器频率：30MHz

输出功率：＞1W

放大器、检波器

放大倍数：25倍

频宽范围：2Hz-2MHz

光源电极台：可测纵向放置的单晶、竖放单晶横载面的寿命

可测单晶尺寸：

断面竖测：直径25-150，厚2mm-500mm

纵向卧测：直径5mm-150mm，长50mm-800mm

读数方式：可选配测试软件或数字示波器读数

测试软件：具有自动保存数据及测试点衰减波形，可进行查询历史数据和导出历史数据等操作。