仪器配有两种光源电极台，一种波长为1.07μm，适合于测量硅单晶块或棒的体寿命；另一种波长为0.904～0.905μm，适合于测量切割或研磨太阳能硅片的相对寿命，与微波反射法测量条件相近，因此测量值也较接近。

该仪器扩大了晶体少子寿命可测范围，配有波长为1.07μm的红外发光管外及0.904～0.905μm的红外激光器，使晶体（研磨面）可测电阻率为0.3Ω·cm，寿命可测为0.25μs。

高频少子寿命测试仪（测单晶用）是按照半导体设备和材料MF1535-0707及GB/T 26068的要求，采用高频光电导衰减测量方法，适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量。

测量太阳电池级硅片、高阻单晶的测试要求，还可测量硅块亦可测量硅片（硅片可放在托架上测量）。

仪器配备的数字存储示波器内置软件可直接读取寿命值。

规格参数：

测量型号：N型或P型单晶或铸造多晶

测量范围：0.25μS-10ms

电阻率下限：≥0.3Ω·cm

光脉冲发生装置

重复频率：＞15次/S

脉宽范围：≥10μs

红外光源波长：1.06-1.08μm

脉冲电流：5A-16A

红外光源短波长：0.904-0.905μm

脉冲电流：5A-16A

高频源 

频率范围：30MHz

输出功率：＞1W

放大器、检波器

频率响应：2Hz-2MHz

放大倍数：约30倍

光源电极台：测量低阻样片用；可测纵向放置的单晶、测量竖放单晶横截面的寿命。

读数方式：可选配测试软件或数字示波器读数

测试软件：具有自动保存数据及测试点衰减波形，可进行查询历史数据和导出历史数据等操作。