瞬态光电导寿命测试仪用于多晶硅、硅单晶生产及高校和科研等。用于多晶硅和单晶硅的控制及实验室科研。仪器采用高频光电导法，样品表面切割研磨面进行测量，寿命仪的放大倍数是可变的。当出现超过5V的光电导电压后，可将放大倍数减为10倍。

产品特点：

1.放大器放大倍数可调，可放大2倍、10倍、30倍。

2.光强电压、脉冲宽度由软件测试系统界面设定。

3.光强电压可按设定的步距自动增加，并同时显示光强增加后寿命值的变化。

4.可自动计算出不同光源电压下的光脉冲对样品产生的注入比。

规格参数：

适合范围：测量多晶硅检验棒、单晶切断后的段料及头尾料；

硅单晶电阻率ρ的测量范围：5-104Ω•cm；

红外发光二极管波长：1.06µm；

脉宽范围：120µs；

光源电压：1.2-5V（可在界面上设定光源电压或设置自动调节）。