本仪器是晶闸管断态电压临界上升率dv/dt参数的测试设备。适用于交流固态继电器、晶闸管、双向可控硅以及可控硅型光电耦合器的dv/dt参数测试。

2.本测试仪采用单片机控制，能够对测试条件及测试数据进行运算；从而使得测试结果能够直接读出，免去了繁琐的查表和运算。

3.单片机的数据处理和优化功能，降低了电路分布参数对测量结果的影响，使得测试结果准确。

4.由于该仪器的时间常数调整范围大、档位密集，对测试电压、时间常数和测量结果进行数字显示，从而使得仪器的测量精度%高、操作%加简便和快捷。

5.其检测原理采用JB/T7626-1994标准推荐的方法。是固态继电器、电力半导体晶闸管生产厂家和使用单位常用的检测设备。

，参数：

测试输出电压：2kV±5%

电压测量误差：±（读数×2%+1）V

时间常数调整范围：0.25-8μS

断态电压临界上升率dv/dt测量范围：0-4000V/μS

工作电源：AC 220V±10% 50Hz

工作温度：0-40℃

整机功耗：小于150VA

整机尺寸：370×390×170mm

整机重量：11Kg