本测试仪是多用途综合测量装置，开展半导体材料的电阻性能的测试。由四探针测试仪和非晶硅薄膜电导率测量仪组成。四探针测试仪由主机、测试架等部分组成，测试结果由数字表头直接显示。主机主要由高灵敏度直流数字电压表和高稳定度
恒流源组成。非晶硅薄膜电导率测量仪由样品室、温控系统、真空系统、高阻测量系统等部分组成。
测量范围：
电阻范围：1×10⁶～1×10¹⁷Ω；
电 阻 率：0.001～200Ωcm
电 导 率：0.005～1000s/cm
可测晶片直径： 200mmX200mm
探    针：碳化钨或高速钢
探针间距：1±0.01mm
针间，缘电阻：≥1000MΩ
机械游移率：≤0.3%
本底真空度：≤10Pa
气压可控范围：10～400Pa
衬底加热 温度：室温～200℃