测试中小功率半导体三管开关参数，功率由100mW至1W的NPN或PNP型晶体管。
Td延迟时间
tr被测晶体管上升时间
ton晶体管开启时间
ts存贮时间
tf被测晶体管下降时间
toff晶体管下降时间
主要参数
测量范围：由5nS至500 nS
测量条件
Ib1=Ib2=1mA,  Ic=10 mA
 2) Ib1=Ib2=3mA，Ic=300 mA
 3) Ib1=Ib2=10mA，Ic=100 mA
 4) Ib1=Ib2=30mA，Ic=300 mA
 5) Ib1=Ib2=50mA，Ic=500 mA
脉冲宽度：0.7-2.5uS
±脉冲：≤2nS
±脉冲幅度：±10V±0.5V
指标
脉冲信号源：频率20K
取样示波器：带宽: 1000MHz
扫   速：20nS/cm . 50nS/cm . 100nS/cm 200nS/cm
CRT显示输入/输出波形 计算机显示测量参数及测量结果。